Нур-Султан
Сейчас
11
Завтра
9
USD
427
0.00
EUR
497
0.00
RUB
5.5
0.00

Смартфоны будущего обеспечат терабайтом памяти

1406268874_1На данный момент выпуском модулей RRAM-памяти занимаются всего несколько компаний. Процесс производства таких микросхем дорогостоящий и весьма сложный — он требует высоких температур и напряжения для переключения в приводящее состояние.

Исследователи из Райса предложили иной подход, позволяющий создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и гораздо более низком напряжении. Он заключается в использовании пористого оксида кремния в качестве основного диэлектрического материала.

Созданные по такому принципу ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для хранения информации, могут хранить до девяти бит данных на ячейку и обеспечивают более высокую скорость записи/чтения данных (до ста раз быстрее, чем флеш-память). Что самое важное, новая технология облегчает «укладку» слоев RRAM-памяти, что позволяет увеличить объем хранимой информации. У одного из прототипов плотность хранения данных настолько высока, что на микросхеме размером с почтовую марку может быть умещен терабайт памяти.

 

© «365 Info», 2014–2020 info@365info.kz, +7 (727) 350-61-36
050013, Республика Казахстан г. Алматы, мкр. Керемет, дом 7, корпус 39, оф. 472
Заметили ошибку в тексте? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter